本工作利用导电原子力显微镜和拉曼散射光谱研究了Ge₂Sb₂Te₅ 相变薄膜在结晶过程中的纳米级电损伤机制。通过使用原子力显微镜纳米级的导电探针对Ge₂Sb₂Te₅ 薄膜表面进行局部的电学刺激，非晶Ge₂Sb₂Te₅ 薄膜在一定的直流偏置电压下(8V)将会转化为晶态Ge₂Sb₂Te₅ 。此外，随着薄膜厚度的增加，GST薄膜的电刺激区表现出更好的结晶度，但也伴随着更大的电致损伤。结果表明，70 nm厚度的GST薄膜具有较好的结晶率(20.5%)和较小的电损伤(19.1±6.5%)。 本工作基于导电原子力显微镜技术的高空间分辨性能，研究了相变薄膜在纳米级尺度下的结晶机制，对微纳相变器件的实际应用具有重要参考意义。该成果发表在IEEE Electron Device Lett.上。

        原文链接：https://ieeexplore.ieee.org/document/10018384