1) 微纳器件制备实验室：采用化学气相沉积、化学溶液法、原子层沉积、脉冲激光沉积技术制备高质量铁电薄膜、半导体氧化物薄膜及其器件结构，并对其性能进行表征，揭示它们的生长动力学机制，为原型器件的设计制备奠定材料基础。

2) 椭圆偏振光谱实验室：通过与低温冷头相结合，重点研究氧化物材料的介电函数随温度的变化规律，特别是揭示它们在相变区介电常数的畸变过程，联立光电跃迁的起源解释以上相变规律。

3) 荧光/拉曼光谱实验室：研究宽禁带氧化物材料的发光过程及激子激发机制。通过与原子力显微镜技术相结合，试图采用“准原位”手段揭示铁电氧化物相变区声子模式变化与其畴结构的内在联系。

4) 红外磁光光谱实验室：开展铁电氧化物及相关半导体材料在磁场调控下的红外光学响应特性研究，重点揭示它们的远红外晶格振动在深低温强磁场下的演化过程，进一步丰富相变起源及物理判别依据。

5) 光电测试实验室：重点开展氧化物半导体、低维材料的光学与电学表征，以及其异质结结构与器件的性能测试，探索氧化物、低维材料在光电学方面的新效应与新应用。