本文采用变温拉曼光谱以及变温椭圆偏振光谱系统的研究分析了不同Si浓度掺杂对Sb₂Te薄膜相变行为的影响，详细讨论了拉曼光谱，光学常数，以及电子跃迁随温度及Si掺杂浓度的变化规律。研究发现，在升温过程中，随着Si掺杂浓度的增大，Si掺杂Sb₂Te薄膜的结晶温度逐渐升高，同时其中间结晶态(即晶态Sb和晶态Te的混合状态)逐渐消失，进而我们从光学角度解释了其相应相变存储器件数据保持力增强的根本原因。

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