本文通过铁和铋共掺杂，实现了h-YMnO₃薄膜晶格取向和表面形貌的显著调制。透射光谱确认了薄膜的双能隙结构。变温透射证明了Eg1几乎没有受到反铁磁相变的影响。这符合Katsufuji的介电反铁磁耦合模型。但Eg2很可能显著受到反铁磁相变的影响。通过螺旋畴模型，铁电畴和磁畴边界的钉扎弛豫以及氧空位在钉扎处积累等效应，解释了100K附近的异常临界温度点和100K以下Eg2收缩的原因。这不但有助于改进Katsufuji模型，而且有助于加深对电子能带结构、反铁磁相变弛豫以及两者关系的理解。

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