文章首次系统地研究了温度对二维异质结层间耦合的调控，并且发现温度是一个非常敏感的因素对于单层二维异质结的层间耦合调控。基于第一性原理计算研究，MoS₂- WS₂，MoS₂- WSe₂，和WS₂- WSe₂异质结会随着层间距的增加，逐渐从间接跃迁半导体变为直接跃迁半导体。由于在MoS₂- WSe₂和WS₂- WSe₂异质结中，Γ点价带顶随层间距的变化不及MoS₂- WS₂敏感，在相同环境的变温实验中，只有MoS₂- WS₂异质结可观测到间接跃迁到直接跃迁的转换。本文结果不仅比较了MoS₂- WS₂，MoS₂- WSe₂，和WS₂- WSe₂异质结的内部的能带特性和光学性质调控特性，而且开拓了一个新的方向，使得二维器件可以通过外部条件的改变来进行调制。

原文链接：http://www.nature.com/articles/srep44712