本文通过变温椭圆偏振实验系统研究了氮掺杂GeTe（NGT）相变薄膜的带尾局域态、介电函数，以及电子能带结构随温度和N掺杂浓度的演变关系。由带尾局域态扩展引起的Urbach带尾吸收能量的增大可以归因于N掺杂导致的薄膜内部结构缺陷的增多，该现象的根本来源是N原子与Ge原子成键，形成氮化物。通过薄膜样品带间跃迁能量以及表面形貌随温度升高的异常行为详细讨论了相变薄膜的动态结晶过程以及N元素在相变过程中的行为变化，即结晶前氮化物分离并抑制GeTe薄膜的结晶，这对于进一步研究NGT基数据存储设备的可靠性和寿命具有重要意义。

原文链接：http://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.4980851