邓青林:KNNMx纳米晶薄膜的光电性质和极化纳米畴行为的研究 在JMCC上发表
发布人: 邢诗萌   发布时间:2015-09-06   浏览次数:

本实验通过用改性的溶胶凝胶技术制备了高质量的KNNMx薄膜,系统地探究了锰掺杂对KNN结构,形貌,晶格振动,光学以及电学性质等的影响。实验结果表明:锰掺杂能显著地降低薄膜的漏电流,提高材料的铁电性能,并且发现6%的锰掺杂(KNNM0.06)表现出最优的性能。系统归纳了铁电性提高的机制:锰元素价态的提高,晶界的影响等。通过压电力原子显微镜,讨论了KNNM0.06的压电响应以及畴行为,发现薄膜主要表现面内的180度纳米畴行为。本文还探究了材料的椭圆偏振光谱,提出利用AdachiCPM1模型,加上四相层结构模型,成功地拟合了椭偏光谱,合理地解释了光学色散行为。变温的椭偏光谱揭示了KNNM0.06的结构相变。本实验对于KNN基薄膜的潜在多功能器件应用提供了重要的研究数据。