采用脉冲激光沉积技术制备高质量外延(001)EuTiO₃单相薄膜，并通过后退火工艺去除了原位生长ETO薄膜在沉积过程中产生的内应力。系统分析了本征ETO和原位生长ETO薄膜的变温吸收光谱，结合第一性原理计算得到ETO的能带结构，我们指认出ETO薄膜系统中的电子跃迁行为，并详细讨论了电子跃迁随温度及应力的变化规律。最后得到ETO薄膜中的内应力可能会导致其价带结构的膨胀。

（http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2015/cp/c5cp06318c）