1) 脉冲激光沉积系统（PLD）

型号：Customized

技术指标：PLD腔体真空度 5*10^-9 mbar

                    快速进样室

                    电阻加热 900 °C

                    激光加热 1100 °C

                    扫描式靶台

主要功能：制备各种薄膜材料，原位监测薄膜生长

2) 磁控溅射系统

型号：Customized

技术指标：磁控溅射腔体真空度 5*10^-9 mbar

                    2寸磁控溅射源*2

                    快速进样室

                    电阻加热 900 °C

主要功能：制备各种薄膜材料

3) 超高分辨率电子束光刻和扫描电子显微镜成像系统（Ultra high resolution EBL&SEM）

型号：PIONEER Two

技术指标：电子束光刻腔体真空度 2*10^-6 mbar

                    束斑尺寸 1.6 nm @20 kV

                    最小特征尺寸 ≤ 8 nm

                    场拼接 ≤ 50 nm (mean+3σ)

                    套刻精度(对准) ≤ 50nm (mean+3σ)

                    激光台运动范围 50*50*25 mm

主要功能：适用于微纳米加工方面广泛的科研应用

4) 原子层沉积系统（ALD）

型号：Sunnale-R

技术指标：样品托盘尺寸 100 cm

                    前驱体管路 4路（包括臭氧/水源1路，液体源2路，固体源1路）

                    反应腔加热 500 °C

                    固体源加热 200 °C

主要功能：制备各种氧化物薄膜和低维材料

5) 薄膜喷镀系统

型号：MJ-10

技术指标：移动平台面积 210 mm×260 mm

                    喷镀面积 150 mm×150 mm

                    常温单通道单喷头

                    理论最低间距 20µm、理论最低线宽 40µm（视浆料与衬底）

主要功能：用于各种氧化物薄膜的图形化制备