二维硒化铟(InSe)在与Au电极接触时，会形成较大的肖特基结接触，影响器件性能。在脉冲激光沉积(PLD)制备过程中，我们利用Cu替代Au作为电极和扩散源，在云母衬底上形成了CuInSe₂/InSe横向异质结。该异质结显著降低了接触势垒的高度，改善了其电学及光电特性。我们还进一步研究了该异质结在外加压应力和拉应力状态下的光电性能表现。通过采用拉曼光谱(Raman)以及开尔文探针力显微镜(KPFM)等技术手段，分别在晶格结构、组分、费米能级分布以及电学特性上提供了直观的证据。为PLD制备二维半导体材料及柔性器件应用提供了新途径，该研究成果发表在Appl. Phys. Lett.上。

原文链接：https://doi.org/10.1063/1.5123401