采用脉冲激光沉积制备高质量的VO₂薄膜，通过变温透射、变温电阻、常温反射测试，研究了常温下透射光谱及反射光谱红外吸收区的光谱斜率与透射变化率和电阻变化率的关系，结果表明光谱斜率和透射及电阻变化率成正相关。另外，我们发现27nm薄膜的电阻率比40nm的低，这种异常现象可能和载流子浓度的变化有关。通过比对电子跃迁，发现27nm薄膜的高能电子跃迁(E₃)呈现逆时针变化，这可能和表面效应引入的赫本带有关，而赫本带的引入会造成载流子浓度的增加。因此，在金属态27nm 薄膜的电阻率比40nm的低。

原文链接：http://pubs.rsc.org/en/content/articlepdf/2016/cp/c5cp07416a