铁电场效应晶体管是具有潜在应用背景的器件之一，其采用铁电材料作为栅极绝缘体，并且可以使用该器件的沟道电导来检测铁电材料的极化状态。在本文中，我们报道了基于0.7Pb(Mg_0.33Nb_0.67)O₃-0.3PbTiO₃(PMN-PT)单晶上的多层MoS₂的铁电场效应晶体管。MoS₂-PMN-PT铁电场效应晶体管具有可切换的多态状态，开/关比可高达10⁶。我们的研究表明，铁电极化和界面电荷陷阱的相互作用对MoS₂-PMN-PT铁电场效应晶体管的电子行为和存储特性有很大的影响。为了进一步研究内在的物理机制，我们在300至500 K温度范围内研究了与时间相关的电学性能变化。铁电极化和界面电荷陷阱对铁电场效应晶体管输运特性的影响分离为我们提供了一个更好地了解其工作机制的机会，这为多态，高密度和低功耗非易失性存储器件的发展提出了一种有前途的方法。该成果发表在ACS Appl. Mater. Interfaces上。

原文链接：https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acsami.0c09951