为实现产业化，使用CVD方法制备可控层数的大面积和高质量SnS₂仍然是亟需解决的问题。我们报道了一种简易的熔融盐辅助CVD法，成功地合成了大尺寸和高质量原子层的SnS₂。SnS₂的横向尺寸可以长达410 µm，并且展现出良好的均匀性。通过原子分辨率扫描透射电子显微镜(STEM)观察到SnS₂在不同层间具有高质量2H堆积晶格。此外，基于超薄SnS₂纳米片的场效应晶体管表现出高开/关比(~108)和高载流子迁移率(2.58 cm²V^-1s^-1)，表明SnS₂在低功耗FET中的潜在适用性。该成果近日以题为“Large-Scale Growth and Field-Effect Transistors Electrical Engineering of Atomic-Layer SnS₂”发表在知名期刊Small上。

原文链接：https://onlinelibrary_wiley.xilesou.top/doi/abs/10.1002/smll.201904116