采用第一性原理计算系统的探究了CuGa_1-xCr_xO₂体系的电子能带结构；同时采用溶胶-凝胶法制备高质量的CuGa_1-xCr_xO₂薄膜，通过常温红外，变温透射等光学手段，研究了铬掺杂对晶格振动和能带结构的影响。理论和实验结合表明晶体结构与直接带隙和掺杂浓度成正相关。此外，实验发现，当掺杂浓度在0 ~ 0.3时，CuGa_1-xCr_xO₂薄膜具有两个直接跃迁，并且随温度变化的趋势也不相同。这是由于铬元素掺杂在导带底和价带顶引入了更多的3d态，强烈的3p-2d电子杂化使得电子跃迁行为发生改变。

原文链接：http://pubs.rsc.org/en/content/articlepdf/2017/tc/c6tc04535a