硫系元素是新兴纳米光电存储器和射频开关的重要结构基因，而后者从理论机制到器件制备仍缺乏深入研究。这里，我们构筑了一种基于直接加热型的准二维Sb相变射频开关，可以实现低能耗和超快响应的微波开关功能。在其准二维非晶Sb中，Peierls畸变与高度局域化的电子结合在一起，提高了由量子限域效应产生Sb的电阻率，有利于实现低焦耳热能垒。基于Sb相变射频开关的插入损耗小于1.2 dB，隔离度大于18 dB（高达67 GHz）。开关总能耗可低至1.1 µJ，开关比超过3个数量级。这项工作为基于硫系射频开关器件提供了新的视角，使未来无线和6G通信系统的重新配置成为可能。该成果发表在Phys. Rev. Appl.上。

原文链接：https://journals.aps.org/prapplied/abstract/10.1103/PhysRevApplied.23.034003