本工作利用局部应变工程在二维Bi₂O₂Se新型半导体中引入挠曲电效应，实现了悬空器件的高性能光感知人工突触模拟。利用湿化学转移法成功将Bi₂O₂Se纳米片转移至预制备图形化衬底上获得悬空结构。采用PFM技术将材料的机电耦合特性可视化，在厚度为8 nm的悬空Bi₂O₂Se纳米片中获得13.1 pm/V的高d₃₃系数，这大大超越了其平面结构和大多数二维半导体的压电特性。基于挠光电效应探测了悬空样品的原位高分辨表面电势成像，进一步揭示了其在外加光激励下的载流子输运调制规律。实验结果表明悬空Bi₂O₂Se器件中背对背的内建电场能够有效调制光生电子-空穴对，使其在零栅压条件下实现约10⁴倍高电流增益。另外，悬空器件对脉冲光刺激表现出光感知突触模拟功能，并且在长期光刺激和机械应力下具有优异的电流稳定性。该工作实现了二维Bi₂O₂Se材料面外机电耦合响应的显著提升并对其挠光电效应进行了系统的研究。该成果发表在Materials Today上。

       原文链接：https://doi.org/10.1016/j.mattod.2024.11.003