本工作通过第一性原理计算，发现挠曲电效应能够诱导材料产生新奇的物理性质以及进一步提升器件性能，并解释了挠曲电效应作用的物理机理。单层α-In₂Se₃挠曲导致了材料在实空间中CBM和VBM的分离，构成了Ⅱ型能带对齐的同质异质结，即通过简单的机械弯曲实现了电子-空穴对的空间分离。挠曲电场和面外偶极子耦合导致能带发生弯曲，挠曲器件相比不挠曲器件，正向电流增大，在偏压为0.8 V时，挠曲器件的电流被放大了27倍。挠曲对器件表现出“应变栅”调控行为。挠曲后的器件整流比大幅提高，相比不挠曲的器件增加了两个数量级，高达10⁷。研究表明，挠曲电效应有助于提升器件性能。本工作为器件性能改善和柔性器件的设计提供了创新性的策略，揭示了多物理场耦合机制，有助于挠曲电相关技术的发展。该成果发表在Phys. Rev. B上。

原文链接：https://doi.org/10.1103/PhysRevB.110.014102