本文通过红外反射、椭圆偏振以及拉曼光谱等光学手段系统的研究了掺杂及温度对Na_0.5Bi_2.5Nb₂O₉（NBN）铁电陶瓷结构变化的影响。发现随着钨元素的增加NBN的结构对称性有所提高，通过拟合椭圆偏振光谱发现光学禁带宽度从3.46 eV提高至3.56 eV。XRD、红外反射、和椭圆偏振光谱研究了钨的B位掺杂对Na_0.5Bi_2.5Nb₂O₉铁电陶瓷结构的影响。通过变温拉曼实验（77-800K），表明NBN材料在大约600K存在中间相变，并通过对电子跃迁行为的分析验证了中间相变的存在。再进一步，铁电相、中间相和顺电相下结构的第一性原理计算分析了电子跃迁随温度变化的机制。最后，结合变温拉曼和椭偏的实验分析，本文第一次给出了Na_0.5Bi_2.5Nb_2−xW_xO_9+δ陶瓷包含中间相的相图。本文实验和理论计算结果的相互印证表明新型光谱技术可以作为一种研究铁电相变的有效手段。

原文链接：https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.96.024101