本研究采用简单的CVD方法，成功制备了高质量不同硫硒比例的三元单层W(S_xSe_1-x)₂二维材料。实验发现在此三元二维材料中，不同的硫和硒比例可以有效调节其光学带隙。随着硫含量的增加，单层W(S_xSe_1-x)₂薄膜的光学带隙逐渐增大。此外，硫含量增加会增强激子的激发行为，通过控制硫含量可以实现不同激子的相互转化。这些结果与第一性原理计算结果一致，从而为该二维材料在光电器件领域的应用提供了强有力的物理依据。本研究成果发表在Nanoscale。

原文链接: http://pubs.rsc.org/en/content/articlepdf/2018/nr/c8nr01823e