本工作提出了一种基于激光功率密度依赖的双向可调光电导效应器件结构。我们创新性地设计了Graphene/InSe/h-BN异质结构，使光吸收层(InSe)所产生的光生电子不断注入到导电沟道层(Graphene)，促使导电沟道层的主要载流子类型发生转变，从而实现光电导效应的可逆调节。我们发现该效应广泛适用于可见光范围区域。同时，基于Graphene/InSe/h-BN异质结所构建的场效应晶体管表现出优异的光电性能(R_NPC≈1.1×10⁴A/W和R_PPC≈13A/W)和稳定性。更进一步，我们成功模拟了视网膜预处理过程，脉冲信号的输入使器件响应率提高了167%，极大地提升了视觉信息的传输质量和效率。该工作为光电导效应的可逆调节以及人工视觉的构建提供了新的设计思路和方向，并为下一代光电子器件的集成发展奠定了基础。该成果发表在Adv. Mater.上。

原文链接：https://doi.org/10.1002/adma.202401585