挠曲电效应能够通过应变梯度诱导的极化实现对材料性质的无电压调控，并且在二维材料中尤为显著。本文通过衬底图案化工程构建悬空α-In₂Se₃纳米片，从而产生由光刻图形定义的挠曲电场，用于调控光电突触行为。与平面器件相比，悬空器件表现出增强的电导，并在光刺激下呈现出突触行为从长时程增强（LTP）到长时程抑制（LTD）的显著转变，其功能与外加电压驱动的静电栅控和铁电极化调控相似。挠曲电栅控实现了具有长期保持特性和几何可调性的无电压突触调控，并通过LTP与LTD的空间集成支持对比度增强的记忆功能。本工作建立了一种可编程的神经形态光电平台，为高能效实现二维突触网络提供了新的途径。该成果发表在Adv. Funct. Mater.上。挠曲电效应能够通过应变梯度诱导的极化实现对材料性质的无电压调控，该物理性质在二维材料中尤为显著。本文通过衬底图案化工程构建悬空α-In2Se3纳米片，从而产生由光刻图形定义的挠曲电场，用于调控光电突触行为。与平面器件相比较，悬空器件表现出增强的电导，并在光刺激下呈现出突触行为从长时程增强（LTP）到长时程抑制（LTD）的显著转变，其功能与外加电压驱动的静电栅控和铁电极化调控相似。挠曲电栅控实现了具有长期保持特性和几何可调性的无电压突触调控，并通过LTP与LTD的空间集成支持对比度增强的记忆功能。本工作建立了一种可编程的神经形态光电平台，为高能效实现二维突触网络提供了新的途径。该成果发表在Adv. Funct. Mater.上。

原文链接：https://advanced.onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adfm.202525617