本工作以云母为衬底，采用CVD方法制备了高质量、大尺寸且不同厚度的1T-VSe₂纳米片。研究了在不同温度下拉曼光谱中电荷密度波(CDW)的变化规律。在350-112 K温度范围内，A_1g模式的频率随温度的降低而增加。当接近112 K时，A_1g模式的频率突然下降，这可能与VSe₂的CDW相变有关。在110-90 K范围内，A_1g模式的频率随温度的降低而增加。这种现象可以用增强的电子声子耦合机制来解释。此外，测试了在不同温度下VSe₂的电阻，发现在112 K左右电阻及其斜率突然发生变化，这也验证了VSe₂在112 K时的CDW相变。这对该二维材料在自旋电子器件和超级电容器等应用具有一定的指导意义。该成果近日以题为“Strong charge-density-wave order of large-area 2D metallic VSe₂ nanosheets discovered by temperature-dependent Raman spectra”发表在知名期刊Applied Physics Letters上。

原文链接：https://doi.org/10.1063/1.5135038