基于二维材料的范德华异质结以其灵活性和高性能为光电技术提供了特殊的研究平台，但是与强关联电子材料相结合的vdW异质结器件研究并不多见。我们探索了一种基于GaSe/VO₂混合维度vdW异质结的新型温度敏感光电探测器。与之前报道的器件相比较，该光电探测器的性能更为出色。在405 nm激光照射下，外量子效率高达109.6 %，并且具有最高的响应率(358.1 mA·W^-1)。值得强调的是，该器件在VO₂与GaSe的相互作用下，突破了单一材料的局限性。VO₂的金属-绝缘相变控制了异质结界面特殊的能带结构演化，调控了器件的光电响应特性，使其可在临界温度值下被关断。这项研究提供了利用强关联电子材料调控二维材料的新手段，为开发高性能和新概念光电子器件应用铺平了道路。该成果近日以题“Mixed-Dimensional Van der Waals Heterostructure Photodetector”发表在知名期刊ACS Appl. Mater. Interfaces上。

原文链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.0c01076