我们报道了InSe纳米片的晶体结构对温度的依赖关系及相关InSe场效应晶体管的电学性能。变温拉曼结果分析表明，A_1g²声子随温度的频率变化高于E_2g¹声子。此外，进一步研究了基于温度和InSe厚度变化的晶体管器件的电学性能。基于开尔文探针原子力显微镜和理论预测能带结构的结果我们系统解释了InSe晶体管器件具体良好性能的物理原因。我们的发现对于解释InSe晶体管的基本物理特性和进一步提高其性能具有指导意义。该成果近日以题为“Lattice vibration characteristics in layered InSe films and the electronic behavior of field-effect transistors”发表在知名期刊Nanotechnology上。

原文链接：https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6528/ab8df1