本工作使用高分辨率PFM成像技术在纳米尺度上量化了二维InSe和WSe₂弯曲沟道中挠曲电极化的分布。同时借助原位的光激励KPFM系统地阐述了弯曲InSe和WSe₂薄片中光生电子和空穴的传输动力学行为，并阐述了挠光电耦合效应的内在物理机制。进一步，我们成功实现了一种基于挠光电效应的新型光激励人工突触，可以有效的模仿生物突触的记忆和学习功能。本研究工作有望对二维半导体材料挠曲电和挠光电效应的研究提供重要指导。该成果发表在Materials Horizons上。

原文链接：https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2021/mh/d1mh00024a