本文充分发挥脉冲激光沉积技术具有的易获得期望化学计量比、靶材种类限制小以及氧空位可控等优点，成功制备了p型元素掺杂氧化镓Ga₂O_3-δ薄膜。我们通过优化氧分压在c-蓝宝石基片上制备了(-201)晶向Mg掺杂的Ga₂O_3-δ薄膜；进一步设计制备了顶栅结构晶体管和异质结，晶体管的转移特性曲线和异质结的整流特性等电学测试结果表明镁掺杂氧化镓薄膜的导电类型是p型。最终我们基于Mg:Ga₂O_3-δ薄膜制备了日盲紫外光电探测器，具有低暗电流(~0.19 pA)、高开关电流比（>10⁴）、快的上升（τ_r1 = 0.035 s和τ_r2 = 0.241 s)和下降(τ_d1 = 0.022 s和τ_d2 = 0.238 s)响应时间。该成果发表在IEEE Electron Device Lett.上。

原文链接：https://ieeexplore.ieee.org/document/9713859