本工作利用密度泛函和非平衡格林函数等方法研究了单层CrSBr挠曲后的电子性质与自旋偏振特性。发现应变梯度诱导了面内与面外的挠曲极化，致使CrSBr单层成功形成了Ⅱ型同质异质结，两者耦合实现了电子和空穴空间上的有效分离。单层CrSBr挠曲后，其晶格反演对称性破缺引起的光生载流子非平衡过程对位移电流密度与弹道电流密度产生了影响，导致中心对称材料中也出现了明显的光伏效应。同时，挠曲产生的内建电场促进挠曲器件光电流的持续产生。挠曲电效应耦合光伏效应即挠曲光伏效应致使挠曲器件表现出良好的自供电行为。值得注意的是，挠曲后的CrSBr自旋偏振器件性能表现突出。这项研究预言了通过简单的机械挠曲能够在中心对称材料中实现光伏效应，并对挠曲光伏效应主导的自供电自旋光电流的内在机理进行了深入分析。该成果为低功耗光电器件的设计提供了新途径，也拓展了挠曲二维材料在自旋电子学中的应用。该成果发表在Phys. Rev. Lett.上。

      原文链接：https://doi.org/10.1103/s8qn-n8tr