本工作以独立悬空结构为基础，提出了一种广泛适用、高精度确定层数相关二维材料纵向挠曲电系数(μ₁₁)的新方法。利用原位显微拉曼光谱和压电响应力显微镜(PFM)成像技术分别量化了悬空二维材料薄膜的应变分布和有效的面外机电耦合，并用于μ₁₁常数的计算。基于上述计算方法，广泛地得到了具有代表性的单层到少层MX₂ (M = W, Mo; X = S, Se) 族的μ₁₁常数及其与自然弯曲结构下可变力学条件的物理相关性。其中，计算得到的单层MoS₂的μ₁₁常数约为0.061μC m^-1，这一结果与先前理论报道的数量级相一致，证明了公式推导的准确性。对于挠曲电系数的量化不仅促进了对于范德华材料机电性能的理解，而且为开发基于挠曲电效应的新型二维纳米器件铺平了道路。该成果发表在Mater. Horiz.上。

原文链接：https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2023/MH/D2MH00984F