本研究利用脉冲激光沉积（PLD）技术成功制备了高质量的V_1-xW_xO₂（0.16 ≤ x ≤ 0.20）薄膜。通过变温透射和拉曼光谱，系统地研究了重W掺杂对VO₂薄膜相变温度，带间电子跃迁和能带结构的影响。结合第一性原理计算，我们发现当W掺杂浓度增加时，π*和d_II轨道的偏移使得带宽变窄，从而抑制了金属绝缘相变。此外，处于金属态时更多的掺杂电子占据π*轨道，说明Mott绝缘态愈加稳定。当前工作深入地阐述了重W掺杂调控VO₂薄膜金属绝缘体相变温度的物理机制。这对有效控制VO₂相变温度和发展相应的光电器件具有重要意义。本研究成果在ACS Appl. Mater. Interfaces上发表。

        原文链接：https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acsami.8b09909