本研究通过NaCl辅助化学气相沉积方法合成不同S/Se比例的三元W(S_xSe_1−x)₂合金。光学研究表明，在组分调节下这些三元合金的PL峰值波长可从640 nm(纯WS₂)到760 nm(纯WSe₂)连续变化。然后我们利用电子束光刻技术制备了场效应晶体管，系统地研究了不同S/Se比例、温度对于W(S_xSe_1−x)₂合金FET的转移输出特性的影响。发现晶体管具有高于10⁵的高开/关比，而且改变合金成分可以实现晶体管载流子类型的P-N转换，该特点为先进器件应用于逻辑结构打下了基础。此外，我们还研究了晶体管的光电特性，它的强光响应效率可应用于图像传感器、通信等领域。对这些二维W(S_xSe_1−x)₂合金FET的电学和光电特性的研究有助于拓展其未来在功能电子/光电子器件方面的应用。该成果发表在Nanoscale上。 

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