本研究提出了一种通过非对称悬空结构使挠曲电效应在纵向和横向两个方向上调控二维材料的创新方法。在纳米尺度上，横向挠曲极化场与光场之间的耦合作用赋予二维材料卓越的自供电能力。实验结果表明，非对称悬空结构模型使基于WSe₂纳米片的光电探测器展现出卓越的自供电光电性能（R ~ 6×10³ A/W）、超弱光探测能力（P_in = 1.5 µW/cm²）以及优异的器件稳定性等。基于非对称悬空结构实现了弱光环境下稳定的信息传输和图像处理，WSe₂和InSe光电探测器的实验结果进一步证明了该结构模型具有广泛适用性。与传统光电探测器相比，其视觉增益提高了两个数量级以上。本工作实现了器件尺度下无源器件的高性能，并深入揭示挠曲电效应与光电效应之间的耦合机制。为开发低功耗、高性能器件提供了一种新的设计策略，并拓展了挠曲电效应的实际应用。该成果发表在该成果发表在Adv. Funct. Mater.上。

原文链接：https://doi.org/10.1002/adfm.202530122