本文在变温环境下通过锡酸镧钡的紫外透射光谱对材料进行研究。对镧组分进行不同浓度的掺杂，分析变温和变组分条件下，材料介电常数、禁带宽度等变化规律。研究结果表明，镧组分在轻掺杂（镧组分小于4%）和重掺杂（镧组分大于6%）下，呈现不同的随温度变化规律，轻掺杂下，材料的禁带宽度和电阻率随温度及组分的变化较为明显。而在重掺杂下，变化规律逐渐趋于稳定。这归结于镧组分在6%掺杂点会趋于掺杂极限。进一步分析得出，镧掺杂会影响Sn 5s-O 2p 反键态和O 2p轨道，对材料禁带宽度影响极大。