本工作利用脉冲激光沉积技术在SiO₂/Si衬底上制备了ԑ相硒化铟薄膜，并利用变温拉曼光谱和变温椭圆偏振光谱研究了其在123K到423K温度范围内的声子和电子跃迁的演化规律。实验结果显示，A¹_2g模式的频率和半高宽随着温度表现出非常明显的非线性变化。采用洛伦兹模型对椭圆偏振光谱进行拟合，获得五个带间电子跃迁的信息。随着温度的变化，这些跃迁均发生红移。最后利用玻色-爱因斯坦模型将晶格振动和电子跃迁联系起来很好地解释了声子变化与带隙变化的关系。该结果为硒化铟薄膜的光电应用提供了有价值的参考信息。该成果发表在Appl. Phys. Lett.上。 

原文链接：https://doi.org/10.1063/5.0021330