本文采用变温紫外透射技术系统研究了不同的氧分压对VO₂薄膜高能电子跃迁和介电常数的调控规律。结果表明E₁和E₂电子跃迁随着温度变化遵循传统的回线行为。但是随着禁带闭合，E₁并没有减小为零，这种拖尾现象很有可能是由杂质能级造成的。不同的氧分压可能会产生晶格缺陷，由此引入施主能级和受主能级。施主能级由氧空位产生，受主能级由钒空位产生。施主能级能够为空的π* 导带提供电子，从而使得导带电子浓度增加，降低相变温度；相反的，受主能级能够禁锢电子，使得导带浓度电子降低，从而使得相变温度升高。因此，本工作相应调整了Goodenough 提出的能带结构理论来说明杂质能级对电子跃迁的影响。