脉冲激光沉积法（PLD）制备的二硫化钼薄膜具有面积大、质量稳定、厚度可控等特点。由于硫的易失性，使得PLD法制备的薄膜中存在着大量硫空位，因此限制了其更广泛的应用。本工作在云母上生长制备了一批不同层数的二硫化钼薄膜，通过在硫气氛下退火，消除了大部分硫缺陷，改善了其光学和电学特性。我们先后采用X射线光电子能谱（XPS）、荧光光谱（PL）、X射线衍射光谱（XRD）、开尔文探针力显微镜（KPFM）等技术手段，分别在组分、晶格结构以及电学特性上提供了直观的证据。为PLD制备二维半导体材料及器件应用提供了新途径，该研究成果发表在Appl. Phys. Lett.上。

原文链接：https://doi.org/10.1063/1.5116174